Numărul de produs al producătorului:
SQJ414EP-T1_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQJ414EP-T1_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12918457
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQJ414EP-T1_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1110 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SQJ414
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQJ414EP-T1_GE3DKR
SQJ414EP-T1_GE3TR
SQJ414EP-T1_GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SQJ414EP-T1_BE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
17929
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQJ414EP-T1_BE3-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJA80EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SI4688DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
BUK763R6-40C,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK