SIDR402DP-T1-RE3
Numărul de produs al producătorului:

SIDR402DP-T1-RE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIDR402DP-T1-RE3-DG

Descriere:

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

Inventar:

14282 Piese Noi Originale În Stoc
12977779
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIDR402DP-T1-RE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
64.6A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9100 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8DC
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
SIDR402DP

Informații suplimentare

Alte nume
742-SIDR402DP-T1-RE3CT
742-SIDR402DP-T1-RE3TR
742-SIDR402DP-T1-RE3DKR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIDR140DP-T1-RE3

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

IRFR220PBF-BE3

N-CHANNEL 200V

vishay-siliconix

SIHA6N65E-GE3

N-CHANNEL 650V

vishay-siliconix

SIHB24N65EFT1-GE3

N-CHANNEL 650V