Numărul de produs al producătorului:
SIHA6N65E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHA6N65E-GE3-DG
Descriere:
N-CHANNEL 650V
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
12977782
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHA6N65E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIHA6N65E-GE3CT
742-SIHA6N65E-GE3TR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB24N65EFT1-GE3
N-CHANNEL 650V
IRFR9024PBF-BE3
P-CHANNEL 60V
SQ3461EV-T1_BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
