Numărul de produs al producătorului:
SIB412DK-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIB412DK-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventar:
12916427
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIB412DK-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10.16 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-75-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-75-6
Numărul de bază al produsului
SIB412
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIAA00DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
SISS02DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
SIHG28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC
