Numărul de produs al producătorului:
SIAA00DJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIAA00DJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 20.1A (Ta), 40A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
5900 Piese Noi Originale În Stoc
12916442
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIAA00DJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20.1A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+16V, -12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 12.5 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6
Numărul de bază al produsului
SIAA00
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIAA00DJ-T1-GE3DKR-DG
SIAA00DJ-T1-GE3TR-DG
2266-SIAA00DJ-T1-GE3TR
SIAA00DJ-T1-GE3CT-DG
742-SIAA00DJ-T1-GE3DKR
SIAA00DJ-T1-GE3CT
742-SIAA00DJ-T1-GE3CT
SIAA00DJ-T1-GE3TR
742-SIAA00DJ-T1-GE3TR
SIAA00DJ-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SISS02DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
SIHG28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC
IXTP5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO220AB
