Numărul de produs al producătorului:
SIA975DJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIA975DJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventar:
88339 Piese Noi Originale În Stoc
12916668
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIA975DJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 6V
Putere - Max
7.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numărul de bază al produsului
SIA975
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIA975DJT1GE3
SIA975DJ-T1-GE3DKR
SIA975DJ-T1-GE3TR
SIA975DJ-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJ980AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
SI4388DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
SI7216DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
