Numărul de produs al producătorului:
SI5904DC-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI5904DC-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
12916777
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI5904DC-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.1A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
1206-8 ChipFET™
Numărul de bază al produsului
SI5904
Informații suplimentare
Alte nume
SI5904DC-T1-E3TR
SI5904DCT1E3
SI5904DC-T1-E3CT
SI5904DC-T1-E3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI5908DC-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
27807
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI5908DC-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
NTHD4508NT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
314
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTHD4508NT1G-DG
PREȚ UNIC
0.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJ951EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
SI4933DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8SOIC
SQ4961EY-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC