Numărul de produs al producătorului:
SIA931DJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIA931DJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventar:
76934 Piese Noi Originale În Stoc
12786861
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIA931DJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
445pF @ 15V
Putere - Max
7.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numărul de bază al produsului
SIA931
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIA931DJ-T1-GE3DKR
SIA931DJ-T1-GE3CT
SIA931DJ-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQ4532AEY-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
SQJ992EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
