Numărul de produs al producătorului:
SISF00DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SISF00DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Inventar:
20549 Piese Noi Originale În Stoc
12787103
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SISF00DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 15V
Putere - Max
69.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Numărul de bază al produsului
SISF00
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SISF00DN-T1-GE3CT
SISF00DN-T1-GE3DKR
SISF00DN-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJB90EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
SIZ904DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
SQJQ900E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
