Numărul de produs al producătorului:
SIA446DJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIA446DJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 7.7A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
12915971
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIA446DJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
ThunderFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
177mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6
Numărul de bază al produsului
SIA446
Fișa de date și documente
Desene de produs
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIA446DJ-T1-GE3TR
SIA446DJ-T1-GE3DKR
SIA446DJ-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDMA86251
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
13995
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDMA86251-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4831DY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
SUD50N04-09H-E3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
SUP75P05-08-E3
MOSFET P-CH 55V 75A TO220AB
