Numărul de produs al producătorului:
SIA426DJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIA426DJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 4.5A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
12913598
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIA426DJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
23.6mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6
Numărul de bază al produsului
SIA426
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIA426DJ-T1-GE3CT
SIA426DJT1GE3
SIA426DJ-T1-GE3TR
SIA426DJ-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PMPB23XNE,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
PMPB23XNE,115-DG
PREȚ UNIC
0.09
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFU214PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
IRFR9110TRRPBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
SI4421DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO