Numărul de produs al producătorului:
SI4421DY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4421DY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
15807 Piese Noi Originale În Stoc
12913602
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4421DY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 850µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4421
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4421DY-T1-GE3TR
SI4421DY-T1-GE3DKR
SI4421DY-T1-GE3-DG
SI4421DY-T1-GE3CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR010TRL
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
IRFU4105ZTRR
MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
IRL540STRR
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
