Numărul de produs al producătorului:
SI8812DB-T2-E1
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI8812DB-T2-E1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Inventar:
12913742
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI8812DB-T2-E1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±5V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
4-Microfoot
Pachet / Carcasă
4-UFBGA
Numărul de bază al produsului
SI8812
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI8812DBT2E1
SI8812DB-T2-E1TR
SI8812DB-T2-E1DKR
SI8812DB-T2-E1CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLIZ34GPBF
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
IRFS9N60ATRR
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
SI1472DH-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6
