Numărul de produs al producătorului:
SI1054X-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1054X-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Descriere detaliată:
N-Channel 12 V 1.32A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventar:
12913751
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1054X-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.32A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.57 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
236mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-89 (SOT-563F)
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Numărul de bază al produsului
SI1054
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI1046R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
SI2303BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
IXTX1R4N450HV
MOSFET N-CH 4500V 1.4A TO247PLUS
