SI7806ADN-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SI7806ADN-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SI7806ADN-T1-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventar:

12916162
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SI7806ADN-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SI7806

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
CSD17579Q3A
PRODUCĂTOR
Texas Instruments
CANTITATE DISPONIBILĂ
41250
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD17579Q3A-DG
PREȚ UNIC
0.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
NTTFS4C13NTAG
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1349
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTTFS4C13NTAG-DG
PREȚ UNIC
0.34
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
CSD17579Q3AT
PRODUCĂTOR
Texas Instruments
CANTITATE DISPONIBILĂ
5016
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD17579Q3AT-DG
PREȚ UNIC
0.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E120BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2880
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E120BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.16
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E100BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
95904
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E100BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.11
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SI7629DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI6415DQ-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP

vishay-siliconix

SI3437DV-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7113ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK