Numărul de produs al producătorului:
SI7430DP-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7430DP-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
368 Piese Noi Originale În Stoc
12913548
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7430DP-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1735 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7430
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7430DP-T1-E3TR
SI7430DPT1E3
SI7430DP-T1-E3DKR
SI7430DP-T1-E3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI7430DP-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
6014
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI7430DP-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4626ADY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
SI4426DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
SI4401FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
