IRFR210PBF
Numărul de produs al producătorului:

IRFR210PBF

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFR210PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventar:

13911 Piese Noi Originale În Stoc
12913556
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFR210PBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IRFR210

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
75

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFR1N60ATRL

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

vishay-siliconix

SI4434ADY-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO

vishay-siliconix

IRFR9020

MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK

vishay-siliconix

IRFP450LC

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3