Numărul de produs al producătorului:
SI7230DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7230DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12914742
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7230DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SI7230
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E100MNTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
5261
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E100MNTB1-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E080BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
40431
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E080BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.10
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4114DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
IRFL210PBF
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
BUK7520-55A,127
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
