Numărul de produs al producătorului:
SI7228DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7228DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 26A 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventar:
12914238
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7228DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 15V
Putere - Max
23W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Numărul de bază al produsului
SI7228
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7228DN-T1-GE3-DG
SI7228DN-T1-GE3CT
SI7228DNT1GE3
SI7228DN-T1-GE3DKR
SI7228DN-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
HS8K11TB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1372
DiGi NUMĂR DE PARTE
HS8K11TB-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4942DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8SOIC
SI6544BDQ-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8TSSOP
SI9945AEY-T1
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
