Numărul de produs al producătorului:
SI7232DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7232DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 25A 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventar:
14225 Piese Noi Originale În Stoc
12914288
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7232DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1220pF @ 10V
Putere - Max
23W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Numărul de bază al produsului
SI7232
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7232DN-T1-GE3CT
SI7232DN-T1-GE3TR
SI7232DNT1GE3
SI7232DN-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI5920DC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
SIA923AEDJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SI6966EDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
