Numărul de produs al producătorului:
SI5485DU-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI5485DU-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Inventar:
12914411
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI5485DU-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pachet / Carcasă
PowerPAK® ChipFET™ Single
Numărul de bază al produsului
SI5485
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI5459DU-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
2267
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI5459DU-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI8802DB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
SI3499DV-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
IRFRC20TR
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
