Numărul de produs al producătorului:
SI4850EY-T1
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4850EY-T1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12962350
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4850EY-T1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.7W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4850
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI4850EY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
4971
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI4850EY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
STS7NF60L
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
7200
DiGi NUMĂR DE PARTE
STS7NF60L-DG
PREȚ UNIC
0.86
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH36N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247
SQS405EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
SUM110N04-04-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263