Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SUM110N04-04-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUM110N04-04-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
RFQ Online
12962461
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUM110N04-04-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SUM110
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SUM110N04-04-E3-DG
Fișe tehnice
SUM110N04-04-E3
Informații suplimentare
Alte nume
SUM110N04-04-E3TR
SUM110N04-04-E3DKR
SUM110N04-04-E3-DG
SUM110N0404E3
SUM110N04-04-E3CT
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB170NF04
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
488
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB170NF04-DG
PREȚ UNIC
1.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF1404STRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1786
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF1404STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.01
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF1404ZSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1262
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF1404ZSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.84
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB80N04S4L04ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
681
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB80N04S4L04ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.91
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB80N04S404ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2000
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB80N04S404ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.93
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH48N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 48A TO247
SUP70040E-GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
IXFH60N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
SISS92DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK