Numărul de produs al producătorului:
SI4505DY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4505DY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12917346
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4505DY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V, 8V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A, 3.8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SI4505
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
ZXMC3A16DN8TA
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
31075
DiGi NUMĂR DE PARTE
ZXMC3A16DN8TA-DG
PREȚ UNIC
0.48
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4992EY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8SOIC
SI3909DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
SI4992EY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8SOIC
