Numărul de produs al producătorului:
SI1988DH-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1988DH-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Inventar:
12917413
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1988DH-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
168mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4.1nC @ 8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
Putere - Max
1.25W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70-6
Numărul de bază al produsului
SI1988
Informații suplimentare
Alte nume
SI1988DH-T1-GE3DKR
SI1988DH-T1-GE3CT
SI1988DH-T1-GE3TR
SI1988DHT1GE3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDG1024NZ
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
450
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDG1024NZ-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SI1922EDH-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI1922EDH-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.10
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3585DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
SQJ912AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
SQJ912BEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
