Numărul de produs al producătorului:
SI4409DY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4409DY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Descriere detaliată:
P-Channel 150 V 1.3A (Tc) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12919275
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4409DY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
332 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4409
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI4455DY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
32101
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI4455DY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDS6375
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2121
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS6375-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUP85N02-03-E3
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
SIR468DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIHFS11N50A-GE3
MOSFET N-CH 500V 11A TO263
