Numărul de produs al producătorului:
SIHFS11N50A-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHFS11N50A-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 11A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12919282
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHFS11N50A-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1423 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHFS11
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFS11N50ATRLP
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
325
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFS11N50ATRLP-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQM50N04-4M1_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO263
BUK7Y3R5-40E,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
SQM10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
