Numărul de produs al producătorului:
SI3456DDV-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI3456DDV-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
94714 Piese Noi Originale În Stoc
12916204
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI3456DDV-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numărul de bază al produsului
SI3456
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI3456DDV-T1-GE3CT
SI3456DDV-T1-GE3DKR
SI3456DDV-T1-GE3TR
SI3456DDVT1GE3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH16N50D2
MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
SI7415DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
SUD50N02-06P-E3
MOSFET N-CH 20V 50A TO252