SI7415DN-T1-E3
Numărul de produs al producătorului:

SI7415DN-T1-E3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SI7415DN-T1-E3-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 3.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventar:

99239 Piese Noi Originale În Stoc
12916208
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SI7415DN-T1-E3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SI7415

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SI7415DNT1E3
Q6936817FK
SI7415DN-T1-E3DKR
SI7415DN-T1-E3TR
SI7415DN-T1-E3CT
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SUD50N02-06P-E3

MOSFET N-CH 20V 50A TO252

vishay-siliconix

SQD23N06-31L_GE3

MOSFET N-CH 60V 23A TO252

vishay-siliconix

SUM50010E-GE3

MOSFET N-CH 60V 150A TO263

vishay-siliconix

SQD40N10-25_GE3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252