Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SI3429EDV-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI3429EDV-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 8A (Ta), 8A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
RFQ Online
12961715
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI3429EDV-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Ta), 8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4085 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
4.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numărul de bază al produsului
SI3429
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SI3429EDV-T1-GE3-DG
Fișe tehnice
SI3429EDV-T1-GE3
Informații suplimentare
Alte nume
SI3429EDV-T1-GE3TR
SI3429EDV-T1-GE3CT
SI3429EDV-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RF601BM2DTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
4845
DiGi NUMĂR DE PARTE
RF601BM2DTL-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ6A050ZPTR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2938
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ6A050ZPTR-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ6C050UNTR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
40958
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ6C050UNTR-DG
PREȚ UNIC
0.13
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ5P010SNTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
13069
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ5P010SNTL-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ6A045APTCR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2900
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ6A045APTCR-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHP10N40D-E3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
SISH407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
SI7452DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
SI1302DL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3