Numărul de produs al producătorului:
SIHP10N40D-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHP10N40D-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12961764
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHP10N40D-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
400 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
526 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
147W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHP10
Fișa de date și documente
Desene de produs
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2266-SIHP10N40D-E3
SIHP10N40DE3
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SISH407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
SI7452DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
SI1302DL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
