Numărul de produs al producătorului:
SI2307BDS-T1-BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI2307BDS-T1-BE3-DG
Descriere:
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
3410 Piese Noi Originale În Stoc
12977874
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI2307BDS-T1-BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
750mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SI2307BDS-T1-BE3CT
742-SI2307BDS-T1-BE3DKR
742-SI2307BDS-T1-BE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3464DV-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
SQJ474EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
SI3443CDV-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
