SQJ474EP-T1_BE3

Numărul de produs al producătorului:

SQJ474EP-T1_BE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SQJ474EP-T1_BE3-DG

Descriere:

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

Descriere detaliată:

N-Channel 100 V 26A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

6000 Piese Noi Originale În Stoc

12977879

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

SQJ474EP-T1_BE3 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Vishay

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

TrenchFET®

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

26A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

30 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1100 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

45W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Clasă

Automotive

Calificare

AEC-Q101

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

PowerPAK® SO-8

Pachet / Carcasă

PowerPAK® SO-8

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

742-SQJ474EP-T1_BE3DKR

742-SQJ474EP-T1_BE3TR

742-SQJ474EP-T1_BE3CT

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

SI3443CDV-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

diodes

DMN2710UTQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

vishay-siliconix

SI2343DS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI2308BDS-T1-BE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET