Numărul de produs al producătorului:
SI1433DH-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1433DH-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 1.9A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Inventar:
12914514
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1433DH-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
950mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70-6
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numărul de bază al produsului
SI1433
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDG316P
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
5479
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDG316P-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3443CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
IRLIZ14GPBF
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
