Numărul de produs al producătorului:
IRLIZ14GPBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLIZ14GPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 8A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
966 Piese Noi Originale În Stoc
12914517
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLIZ14GPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 4.8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
27W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IRLIZ14
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRLIZ14GPBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4483EDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
IRFBE20STRR
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
SI2306BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
