IRFBE20STRR
Numărul de produs al producătorului:

IRFBE20STRR

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFBE20STRR-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12914519
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFBE20STRR Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRFBE20

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SI2306BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFP360LCPBF

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3

littelfuse

IXTT360N055T2

MOSFET N-CH 55V 360A TO268

littelfuse

IXFH35N30

MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD