IRFBE20STRR

Numărul de produs al producătorului:

IRFBE20STRR

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFBE20STRR-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 800 V 1.8A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

RFQ Online

12914519

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRFBE20STRR Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Vishay

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

800 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

1.8A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

530 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

-

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-263 (D2PAK)

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

IRFBE20

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

RoHS non-compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

SI2306BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFP360LCPBF

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3

littelfuse

IXTT360N055T2

MOSFET N-CH 55V 360A TO268

littelfuse

IXFH35N30

MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD