Numărul de produs al producătorului:
SI1056X-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1056X-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 1.32A SC89-6
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 1.32A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventar:
12914105
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1056X-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.32A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
89mOhm @ 1.32A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
236mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-89 (SOT-563F)
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Numărul de bază al produsului
SI1056
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI1056X-T1-E3DKR
SI1056XT1E3
SI1056X-T1-E3TR
SI1056X-T1-E3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
IXFA12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
