Numărul de produs al producătorului:
IXFA6N120P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFA6N120P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventar:
3725 Piese Noi Originale În Stoc
12914108
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFA6N120P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2830 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AA (IXFA)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXFA6N120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IXFA6N120P-CRL
Q13176188
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
IXFA12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
IXFX170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
