Numărul de produs al producătorului:
IRLI620G
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLI620G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12910766
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLI620G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IRLI620
Informații suplimentare
Alte nume
*IRLI620G
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RCX081N20
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
147
DiGi NUMĂR DE PARTE
RCX081N20-DG
PREȚ UNIC
0.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF620PBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
IXTP300N04T2
MOSFET N-CH 40V 300A TO220AB
IRF9Z24STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK