Numărul de produs al producătorului:
IRL640PBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRL640PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
5642 Piese Noi Originale În Stoc
12910784
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRL640PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRL640
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRL640PBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR220TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
IRF9640STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
IXTP18N60PM
MOSFET N-CH 600V 9A TO220