IRFZ14L
Numărul de produs al producătorului:

IRFZ14L

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFZ14L-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventar:

12905478
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFZ14L Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IRFZ14

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
*IRFZ14L
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFD120PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

diodes

ZXMN2A02N8TA

MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO

littelfuse

IXFN44N80

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

vishay-siliconix

IRFD010PBF

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP