Numărul de produs al producătorului:
IRFD010PBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFD010PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Descriere detaliată:
N-Channel 50 V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Inventar:
12905516
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFD010PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
50 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 860mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
4-HVMDIP
Pachet / Carcasă
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numărul de bază al produsului
IRFD010
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFD010PBF
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF740APBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
IRFB9N30APBF
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
ZXMN6A07FTC
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3