Numărul de produs al producătorului:
IRFI820G
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFI820G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 2.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12867712
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFI820G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IRFI820
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFI820G
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF1405ZTRL
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
IRF840LCL
MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
IRF840ASTRLPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK