Numărul de produs al producătorului:
IRFB9N30A
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFB9N30A-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 9.3A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12867786
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFB9N30A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRFB9
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFB9N30A
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP12NK30Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
508
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP12NK30Z-DG
PREȚ UNIC
0.99
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CPC3714C
MOSFET N-CH 350V SOT89
IRFBC30APBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
SI3420A-TP
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
