Numărul de produs al producătorului:
IRF830S
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF830S-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12885870
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF830S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
610 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRF830
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF830S
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF830SPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1095
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF830SPBF-DG
PREȚ UNIC
0.84
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF640STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO263
IRFDC20
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
IRF610
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
