Numărul de produs al producătorului:
IRF610L
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF610L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12886086
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF610L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IRF610
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF610L
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF610LPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF610LPBF-DG
PREȚ UNIC
0.72
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF624
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
IRF9530STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
IRFBC40AL
MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK