IRF820APBF-BE3

Numărul de produs al producătorului:

IRF820APBF-BE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF820APBF-BE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB

Descriere detaliată:

N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

1714 Piese Noi Originale În Stoc

12945859

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRF820APBF-BE3 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Vishay

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

2.5A (Tc)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

340 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

50W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220AB

Pachet / Carcasă

TO-220-3

Numărul de bază al produsului

IRF820

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IRF820APBF-BE3-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

742-IRF820APBF-BE3

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

IRFR210TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

vishay-siliconix

IRF644PBF-BE3

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB

vishay-siliconix

SIS890ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK

vishay-siliconix

IRFZ40PBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB