IRF730STRR
Numărul de produs al producătorului:

IRF730STRR

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF730STRR-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12907652
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRF730STRR Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
400 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRF730

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STB11NK40ZT4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
4196
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB11NK40ZT4-DG
PREȚ UNIC
0.99
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
littelfuse

IXTH6N90A

MOSFET N-CH 900V 6A TO247

fairchild-semiconductor

FQI6N60CTU

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

vishay-siliconix

IRFBF30SPBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF614S

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK