FQI6N60CTU

Numărul de produs al producătorului:

FQI6N60CTU

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FQI6N60CTU-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

1844 Piese Noi Originale În Stoc

12907680

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQI6N60CTU Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Ambalare

Tube

Serie

QFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

5.5A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

810 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

125W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-262 (I2PAK)

Pachet / Carcasă

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

FAIFSCFQI6N60CTU

2156-FQI6N60CTU-FS

Pachet standard

398

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

IRFBF30SPBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF614S

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

vishay-siliconix

IRF744PBF

MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB

littelfuse

IXFB40N110P

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264