FQI6N60CTU
Numărul de produs al producătorului:

FQI6N60CTU

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FQI6N60CTU-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

1844 Piese Noi Originale În Stoc
12907680
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FQI6N60CTU Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Tube
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
FAIFSCFQI6N60CTU
2156-FQI6N60CTU-FS
Pachet standard
398

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFBF30SPBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF614S

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

vishay-siliconix

IRF744PBF

MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB

littelfuse

IXFB40N110P

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264