Numărul de produs al producătorului:
IRF744PBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF744PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 450 V 8.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12907763
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF744PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
450 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
630mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF744
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF744PBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFB40N110P
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
2N6660-2
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
IXTY2N65X2
MOSFET N-CH 650V 2A TO252
